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36氪 16小時前

氧化鎵外延片成本降低 10 倍以上,第四代半導體廠商「鎵創未來」獲千萬級天使輪融資

文 | 張冰冰

編輯 | 阿至

36 氪獲悉,鎵創未來半導體科技(晉江)有限公司(以下簡稱「鎵創未來」)近日宣布完成千萬級天使輪融資,投資方包括聚卓資本 -- 晉江人才科創基金、芯豐澤半導體和個人投資人,資金將用于外延片產能提升,加速第四代半導體材料的產業化落地進程。

「鎵創未來」成立于 2025 年 7 月,專注于第四代超寬禁帶半導體材料——氧化鎵外延片研發與產業化,目前已具備異質外延片小批量生產能力。公司創始人團隊均為微電子學與固體電子學博士,2015 年開始投身于寬禁帶半導體碳化硅和氧化鎵材料與器件研究,在材料外延生長、摻雜及器件制備等全產業鏈環節積累了近 10 年的經驗。

「鎵創未來」核心產品是氧化鎵外延片系列,包括氧化鎵同質外延片以及異質外延片產品線,涵蓋藍寶石基、碳化硅基和硅基氧化鎵外延片,可以滿足不同應用場景的需求。目前已與二十余家科研機構建立合作關系,與多家半導體客戶簽訂采購合同。

一、異質外延 + 自研設備,破解氧化鎵產業化痛點

碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料已獲廣泛關注并實現應用突破。隨著高功率器件性能需求的持續提升,氧化鎵憑借超寬禁帶、高擊穿電場等優勢,被視為理想的第四代功率半導體材料。

" 氧化鎵作為第四代半導體材料,其性能優勢可以說是革命性的。" 鎵創未來創始人介紹,氧化鎵擁有 4.9eV 的超寬禁帶寬度,遠超碳化硅的 3.3eV 和氮化鎵的 3.4eV;臨界擊穿電場高達 8MV/cm,是碳化硅的 3 倍多;巴利加優值達到 3444,分別是氮化鎵的 4 倍和碳化硅的 10 倍。" 這些參數意味著氧化鎵在功率器件應用中具有極低的導通損耗,功率損耗僅為碳化硅的 1/7、硅的 1/49,這對于提升能源轉換效率具有重大意義。"

功率轉換效率的提升對新能源汽車、光伏逆變器等領域應用有著重要意義,同時,氧化鎵在日盲紫外波段的響應特性填補了市場空白,并有望拓展 3000V 以上的超高壓應用場景。

然而,優越性能的另一面是研發難度,鎵創未來創始人坦言,氧化鎵產業化長期以來面臨襯底成本過高、外延供應不足、材料性能局限等問題。

襯底成本方面,目前氧化鎵襯底生長需用到銥坩堝,由于銥等貴金屬成本非常高,導致目前國產的 2 英寸氧化鎵襯底價格仍然高達 2 萬元左右,和同尺寸或更大尺寸的碳化硅相比,可以達到碳化硅價格的 40 余倍,嚴重制約了產業化進程。

在外延環節,國內外延產業尚屬早期,現有產品存在尺寸小、厚度薄、遷移率低等問題,對應將影響產品成本、集成度、耐壓可靠性、能效等指標,影響產品應用落地。

材料性能方面,氧化鎵材料具有超寬禁帶特性,但 p 型摻雜技術到目前為止仍是行業公認難題,同時材料本身的熱導率也比較低,這些都大大限制了氧化鎵發揮潛力。

「鎵創未來」自研 HVPE 設備

面對材料產業化難題及國際技術封鎖,「鎵創未來」選擇從兩條關鍵路徑上自研突破:其一,異質外延技術路線,通過在碳化硅、藍寶石、硅等成熟商業化襯底上生長氧化鎵,將材料成本降低 10 倍以上。其二,自主研發 HVPE 設備,在實現大尺寸、厚膜、高遷移率的同時,在寬摻雜濃度范圍等關鍵性能指標上取得突破,實現異質外延片的穩定生產。

" 通過這一創新,我們不僅解決了技術難題,還實現了成本的大幅降低。" 鎵創未來創始人總結道。

二、聚焦高價值賽道,分階段推進產品落地

氧化鎵器件的應用場景涵蓋電力電子與光電探測兩大領域:在電力電子方面,可以覆蓋新能源汽車(快充樁、OBC、主逆變器)、光伏逆變器及 650V-3300V 中高壓工業電源等場景;在光電探測方面,依托日盲紫外響應特性,可以廣泛應用于電網監測、消防預警、海上搜救等場景。

基于市場需求,「鎵創未來」重點聚焦高價值賽道:功率器件端主攻新能源汽車 800V 以上高壓平臺車載充電器、快充樁及 AI 數據中心工業電源等場景;光電器件端則聚焦日盲紫外探測、深紫外光源及光通信器件等應用方向。

據市場調查公司富士經濟于 2019 年公布的《Wide Gap 功率半導體元件》全球市場預測,2030 年氧化鎵功率元件的市場規模將會達到達到碳化硅的 36%,甚至超過氮化鎵功率元件的規模。誠然,目前氧化鎵半導體材料正處于從實驗室走向產業化的早期階段,創新項目需適配研發體系與市場導入策略。

「鎵創未來」采取分階段推進策略:初期將重點服務高校和科研院所,進行材料研究和器件開發;后續將拓展與器件設計公司和 IDM 廠商的深度合作,推動產品在工業領域的應用;最終目標是隨著技術和市場的成熟,規模化進入新能源汽車、工業電源和光伏等主流市場。

" 氧化鎵器件往下游走,要將其應用推廣到更大的應用場景,比如新能源車充電樁和數據中心電源設備,需要一個更長期的性能和可靠性方面的驗證。" 鎵創未來創始人認為,從終端應用反推到器件生產層面、再反推到器件設計層面、最后反推到外延層的生產方面,存在一個時間差,「鎵創未來」前期首要目標還是服務好早期客戶,夯實技術基礎,持續提升外延層的質量和工藝水平,逐步建立并穩固下游客戶群體。

產線建設方面,「鎵創未來」一期項目已于 2025 年 7 月啟動,目前已在晉江集成電路產業園落成超凈間,主要用于氧化鎵同質和異質外延產品的批量生產,為后續市場拓展提供產能保障。

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本文來自微信公眾號"36 氪未來產業 ",作者:張冰冰,阿至,36 氪經授權發布。

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